RÉSEMEN
Martin Mozo, J. Juan Y Mora-Ramos, Miguel E .. Propriétés électroniques de III-V Semi-conducteurs dans une souche uniaxiale; une approche étroitement contraignante: ii. Antimonides et phosphides. Nova Scientia. 2010, Vol.2, N.4, pp.33-57. ISSN 2007-0705.
L’approche SP3S * D5 Empirical Binding Empirical est utilisée pour étudier certaines propriétés de la structure électronique dans un groupe de semi-conducteurs III-V zincblende qui sont de la plupart recto électronique et optoélectronique. En particulier, il fait l’objet d’une enquête sur l’influence de la souche uniaxiale sur ces propriétés. Nous utilisons une formulation décrite dans la première partie de ce travail. Une attention particulière est accordée à l’inclusion de l’effet de déformation interne. Nous présentons la variation des lacunes d’énergie et des masses efficaces de la bande de conduction de γ, X et L en tant que fonctions de la souche uniaxiale dans le cas de l’ALP, de l’INP, de l’ALSB, de la gasbe et de l’insb. Les expressions d’ajustement pour les principales lacunes de bande d’énergie sont rapportées pour ces cinq matériaux. Un comportement non linéaire induit fortement induit par la contrainte de ces quantités ainsi que de la bande de conduction Les masses efficaces sont observées.
Palabras llave: contraignant étanche; Matériaux III-V; structure électronique; Souche uniaxiale.
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